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Bitte beziehen Sie sich beim Zitieren dieses Dokumentes immer auf folgende
URN: urn:nbn:de:bsz:25-opus-4074
URL: http://www.freidok.uni-freiburg.de/volltexte/407/


Aigeldinger, Georg

Implementation of an ultra deep x-ray lithography (UDXRL) system at CAMD

Implementierung eines Systems zur ultratiefen Röntgenlithographie (UDXRL) am CAMD

Dokument1.pdf (5.972 KB) (md5sum: f7dfe816a2dd87c3c77f3a5a55cccf73)

Kurzfassung in Deutsch

In this work, ultra-deep, several millimeter high microstructures in PMMA were fabricated, using deep X-ray lithography at the wiggler radiation source at the Center for Advanced Microstructures and Devices (CAMD). For the first time the concept of stacked exposures has been experimentally verified and tested.

The work consists of two main tasks: The preparation of the necessary infrastructure and the conducting of the exposure experiments and their interpretation and comparison to results presented in earlier work.


SWD-Schlagwörter: Röntgenstrahlung , Röntgenlithographie , Synchrotron , Mikrostruktur , Strahlrohr
Freie Schlagwörter (deutsch): RTL , LIGA , Röntgenscanner , Stapelbelichtung , CAMD
Freie Schlagwörter (englisch): UDXRL , DXRL , XRL , X-ray lithography , Wiggler
Institut: Institut für Mikrosystemtechnik
Fakultät: Fakultät für Angewandte Wissenschaften (bis Sept. 2002)
DDC-Sachgruppe: Technik
Dokumentart: Dissertation
Erstgutachter: Menz, Wolfgang (Prof.)
Sprache: Englisch
Tag der mündlichen Prüfung: 20.07.2001
Erstellungsjahr: 2001
Publikationsdatum: 15.05.2002
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